電阻造句,電阻造句大全

301.為了增加更多的死區時間,補償功率管的切換瞬間短暫延時,增加了一個肖特基二極管,與柵極電阻

302.電路絕緣電阻測量。

303.有關精密低電阻測量方法的討論請參見第。

304.水泥型電阻是把繞線電阻體放入瓷器框內,用特殊不燃性耐熱水泥充填密封而成。

305.這個加熱器需要一組新電阻絲。

306.為了控制浮動場效應管電阻,差分放大器將是必要的。

307.可以調節的電阻器叫做變阻器。

308.采用本發明的方法生產疊層片式壓敏電阻器,極大地縮短了產品的生產周期,節約了產品制造成本。

309.我們取發射極基極電阻的典型值為姆左右。

310.佩戴上后,陰莖的周長會導致汞柱電阻的變化。

311.體電阻率:表示直接通過材料的泄漏電流。

312.結合電阻法原理和微型計算機技術,研制出一種能檢測血細胞大小和數量的自動分析儀器。

313.本文研究了幾種常用儀表放大器電路結構,發現多需通過激光調阻技術來提高電阻網絡的匹配精度以達到高的共模抑制比。

314.限流電阻通常不是必需的。

315.超導體不受電阻現象的影響。

316.觸摸屏技術方面,用電阻式觸摸屏,而不是電容式觸摸屏。

317.濕度將使表面電阻率的測量結果比正常情況低一些。

318.一些開關也包含一個可變電阻器,控制儀表板燈的燈光亮度。

319.研究了一種基于磁通控制原理的電感和電阻連續可調的有源電抗器。

320.可根據客戶要求訂做各種表面電阻測試儀!

321.等效時間常數可以從感應電流自然衰減特性得到,電阻和電感則通過計算被動反饋線圈中渦流損耗和磁場能量中求得。

322.一個連接電壓電源的含有RR阻串聯的電路,輸入電壓和電阻R然后輸入電阻R值。

323.長電位電阻率測井比短電位電阻率測井具有更深的探測半徑。

324.一般仍殘留著某些未被補償的電阻

325.把雙感應測井和淺電阻率測井或者微電阻率測井組合,假定為臺階狀電性剖面條件下,可以校正侵入對深感應的影響。

326.那么,歸根究柢,這一切都是兩個小程控物理學和簡單:電阻加熱元件及鋁筒。

327.采用復阻抗方法測量了晶粒、晶界電阻值,初步分析了施受主的缺陷補償機制。

328.介紹了鉑電阻測溫非線性校正方法。

329.選擇電學性能穩定的康銅材料作為薄膜電阻絲材料,采用MEMS工藝制備薄膜電阻絲。

330.電氣加熱元件應該螺紋擰進的,直接浸入式,不銹鋼外層,電阻型加熱元件。

331.用測定焦炭電阻率的方法來計算焦炭的反應性。

332.提出了一種基于函數變換原理的鉑電阻傳感器非線性校正方法。

333.溫度傳感器主要包括熱電偶、熱電阻電阻造句m.9061xoxo.com

334.在銦、紫銅、錫、磷銅等機械接觸中,銦電極具有最低的接觸電阻,其他電極須經電冶成方能進行測定。

335.認識“電阻”的關健環節是電子散射機構問題。

336.本文論述錄像機所廣泛采用的具有正電阻特性濕敏電阻器的結構和特性,并給出一些應用電路簡介。

337.燈泡有姆的電阻

338.文章提出了兆歐表測量絕緣電阻應注意的問題,分析了原因,并給出了若干實例。

339.通過理論推導,獲知了濕敏電阻器的感濕特性曲線與擬合直線之間的偏差隨其本體電阻的變化關系。

340.對測試裝置中使用的保溫材料和加熱用的電阻絲進行市場調研,確定最終選用的結果。

341.對于采用電阻加熱導模法生長白寶石弓形片來說,模具頂端的溫度場對晶體外形控制起著關鍵作用。

342.電阻、電抗是電機的重要參數。

343.孔隙內水的礦化度或許是決定電阻率的最主要因素。

344.依據熱電阻與溫度的數學關系,通過控制熱電阻的電壓電流恒定實現溫度恒定的控制。

345.過套管電阻率測井是一項重要的測井技術,該項目的一個難點為微弱信號的檢測。

346.電阻的測量單位是歐姆。

347.熱敏電阻是對溫度敏感的電阻器,具有很好的線性度和準確度特性。

348.圖由于場配線電阻在三線電阻式溫度檢測器應用消除誤差。

349.針對應用要求,設計了一個環形振蕩器,分析了影響振蕩頻率精度、輸出波形及噪聲的因素,并設計了一個無電阻的亞閾值電流偏置電路。

350.對于其它的電阻重復這一過程。

351.分析了電阻應變計和應變儀的測量原理。

352.隨后測量電阻,以確定存儲單元的狀態。

353.本文介紹了一種新的測量電源電動勢的方法,即用示波器測電池的電動勢和內電阻

354.電阻器通常分為三大類:固定電阻,可變電阻,特種電阻

355.通過對熱膜探頭的溫度特性分析,提出采用鉑電阻作為熱膜風速計的溫度補償元件。

356.但對交叉互聯方式,接地電阻對短路時護層電壓的影響很大。

357.通過在螺旋型諧振器中引入電阻加載,使得該電路能夠進行品質因數調節。

358.為研制一種獨石結構的片式熱敏PTC電阻器,采用軋膜成型工藝制備生坯薄片并在成瓷后疊層。

359.擴展電阻的測試結果顯示出注入的P離子基本上集中在集電區的位置,對發射區和基區未造成顯著影響。

360.第的電阻都低于0歐姆嗎?

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