1.金屬銅的電阻率低，所以在印制電路板中，用來制備銅箔及雙面板、多層板的孔金屬化方面采用鍍銅工藝。
2.平均讀數法去除了接觸電阻的某些影響。
3.我們增加導線的長度，從而增加了導線的電阻。
4.在宏電池陰陽極之間串聯可變電阻來模擬混凝土電阻的變化。
5.介紹了分形理論，探討了其在電阻點焊中的應用前景。
6.并且動作迅速，失超后有效限流電阻大。
7.總配電板絕緣電阻測量和保護裝置可靠性試驗。
8.指出了傳統電阻率儀器校準存在的問題及解決辦法。
9.介紹如何利用電阻、電容與電感來求得電路系統的統制方程式。
10.使用歐姆計，檢查在換向器之間電阻。
11.對于在方位上對稱的測井儀，如電阻率測井儀，稱為探測半徑則更準確。
12.在可能的時候，嘗試使用較高的電阻量程。
13.算法無需故障類型判別，不受系統阻抗、故障電阻、負荷電流以及分布電容的影響。
14.如果電阻保持不變，則電流與電壓成正比。
15.儀表的輸入電阻應當遠遠大于源的內阻才能滿足對測量準確度的要求。
16.采用二階溫度補償和電流反饋技術，設計實現了一種基于襯底驅動技術和電阻分壓技術的超低壓CMOS帶隙基準電壓源。
17.由于歐姆電阻在導體一些能源在傳輸中丟失。
18.對于大阻值電阻﹐其引腳電阻是可忽略的。
19.選用箱式電阻爐和土窯燒制的竹炭，在不同溫度和濕度條件下進行竹炭吸濕性變化的試驗。
20.瀝青混合料的電阻率約為。m，屬于絕緣體材料。
21.應用AD，無需線性化電路、精密電壓放大器、電阻測量電路和冷結補償。
22.絕緣電阻高，電容量穩定性好。
23.低電阻率油層成因和導電機理非常復雜。
24.論述集成無源元件的重要作用，簡介集成電阻器、集成電容器、集成電感器技術。
25.低電阻及高能量存儲。
26.具有耐腐蝕、無接觸電阻，維護簡單之優點。
27.得出了熱泵、電阻加熱系統的試驗結果。
28.然而，由于偏移電壓通常為毫伏級的電壓，所以對于中等阻值的電阻切換來說，差分法通常也不是問題。
29.SDR電阻限制電流，因此減少信號負過沖和超限噪聲。
30.求等效電阻。
31.提出了一種用球形熱敏電阻測量氣流速度的方法。
32.壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，所以它是半導體電阻器的一個品種。
33.于是人們開始夢想著發現甚至在室溫下也能夠具有零電阻的材料。
34.通過各種測量，給出了吸收系數、電阻率、應力、硬度和結合力。
35.直流電橋是一種電阻測量儀器，在電力系統現場測試中應用極廣。
36.閉合時具有零電阻。
37.利用電阻應變片、動態壓力傳感器、滑環式引電器和磁帶記錄儀等，錄取葉片振動應變和動葉出口壓力信號，然后回放磁帶，做信號處理。
38.雖然GF為導電惰性填料，但因其加入起到了占位作用，明顯提高了導電填料的有效濃度，從而使復合材料的體積電阻率明顯降低。
39.測量通道入和通道入之間的電阻。
40.最后對換流支路分布電阻對關斷特性的影響進行了分析。
41.本文對該方法實際應用的有效性進行了分析和說明，并利用共軛梯度迭代技術實現了垂直有限線源三維電阻率反演。
42.同時，系統可以實時控制電阻爐的實際溫度。
43.介紹了一種對人體內電阻抗分布進行成像的醫學成像系統，并將其應用于肺通氣的觀察。
44.本文利用擴展電阻技術對半導體硅、硅基材料進行測試分析，從而用以開發新材料和評估材料的質量。
45.初步探討了利用視電阻率電位測井曲線，劃分多年凍結層的效果及精度與凍結層巖性、含冰量和井徑等因素的關系。
46.答采取耐酸、包圍本能機能好，并具有較矮的絕緣電阻。
47.基本共射放大器是典型的電阻性甲類放大器。
48.論述了一種測試大型硅片電阻率均勻性的新方法———電阻抗成像技術。
49.使用歐姆計，檢查電磁開關C接線柱。之間的電阻。
50.靜電離子？旋波可以導致異常電阻及平行電場的出現。
51.研究了土壤電阻率、罐底的極化特性、陽極的埋深、與罐距離及數量等因素對罐底外側陰極保護電位分布的影響，并將模擬結果與實測數據進行了對比。
52.檢查方法是將兆歐表上的一個接線柱接在電泵電纜線上，另一接線柱接在電機外殼上，搖動兆歐表，觀察絕緣電阻值。
53.正面有個攝影鏡頭，以及一只相當平凡的塑料觸控筆隱藏在控制器頂部，所以毋庸置疑，這是電阻式觸控面板。
54.彩色，表面電阻≤;色彩多樣化，用于防塵、防靜電包裝等。
55.在電源的輸入與負載之間串連一只阻抗器，通過接入反饋控制網絡自動調整阻抗器的電阻值，來穩定輸出電壓，就形成了串連式穩壓器。
56.特點:E-B反向擊穿電壓高，反向放大高，導通電阻低。
57.輸入電阻通常要比源電阻大很多。
58.磁電法包括磁電阻率法和磁激發極化法。
59.含水量不足將降低膜的傳導性，并造成高內電阻，而過多的水將導致電極的淹水，使反應面積減小。
60.這盞燈比那盞燈具有更高的電阻。
