1.通過與一維模型的比較，說明在深亞微米SOIMOSFET器件中隱埋層的二維效應會導致器件提前出現短溝道效應。

2.骨干壩的布局應遵循三均衡原則，即單壩區(qū)間控制面積基本均衡，對干支溝的溝道控制基本均衡，單壩淤地面積與區(qū)間控制面積的比值基本均衡。

3.為了使溝道效應最小，GaAs靶應稍偏離離子束的軸向。

4.溝道效應的運動阻尼與系統走向混沌的臨界特征。

5.被排出的漿液通過溝道被送到吸收塔排水坑。

6.湖底扇、辮狀溝道砂體易于形成巖性油氣藏。

7.帶電粒子在晶體中的運動會受到溝道效應和阻塞效應的強烈影響。

8.由于溝道存在很強的溝床和溝壁侵蝕，溝道也成為土壤侵蝕風險區(qū)。

9.溝道雜質濃度不同，界面態(tài)引起的器件特性的退化則不同。

10.由于這種連接可能出現較大的泄漏溝道，故可用密封劑、密封膠帶或填料來堵塞這些溝道。

11.闡述了土谷坊的設計原則、施工方法及其在溝道治理工程中的應用。

12.介紹一種采用電磁鐵驅動的砂輪修整定位機構，用于單溝道軸承磨床改造，實現軸承套圈雙溝道一次磨削和自動磨削。

13.文中通過利用耗盡層阻斷溝道的方法，討論了一種基于RST結構原理實現“或非”邏輯功能的器件結構。

14.它主要是調節(jié)在特征尺寸一定的情況下通過改變有效溝道尺寸來改變工作電流的大小。

15.不過溝道應力技術的引入使柵介電材料的替換推遲了若干代。

16.特定來說，在非易失性存儲器裝置經歷許多編程循環(huán)時，電荷變?yōu)榉@在浮動柵極與溝道區(qū)之間的絕緣體或電介質中。

17.P溝道MOSFET的外側。高功率特的漏源電壓。儲存溫度范圍。

18.實驗得到的半波長與理論計算值在誤差范圍內一致，晶面溝道方向的阻止本領略大于隨機方向的阻止本領。

19.產品型號穩(wěn)定是加工水泵、紡織軸承溝道、滾道之最佳選擇。

20.實驗結果表明:阱和源漏極離子注入制程對淺溝道隔離性能有很大的影響。

21.屠體吊掛經過之處，應設有足夠寬度之溝道以承接屠體所流滴之血水。

22.它綜合考慮了襯偏效應、短溝道效應以及兩者之間的關系。

23.村周圍成千上萬的溝道、石堰，為收藏石頭提供了絕佳的天然場所。

24.N溝道增強型垂直D-MOS晶體管。

25.在較淺的溝道里，如果流量過大就可能使溝水漫溢，并引起連鎖反應m.9061xoxo.com，從而產生沖溝。

26.MOSFET三級模型也成為半經驗模型，這個模型不僅包括了亞閾值情況，而且還試圖說明了短溝道效應和窄溝道效應。

27.絕緣柵雙極晶體管。N溝道增強模式，高速開關。

28.最后，模擬研究了“雙溝道”MESFET結構，并根據模擬仿真的直流輸出特性以及擊穿特性，優(yōu)化了“低溝道”層和“高溝道”層的結構參數。

29.經分析，是由于金屬柵極的縫隙距離或孔徑過大，勢壘區(qū)耗盡層遠小于溝道寬度，柵壓起不到明顯的調控作用。

30.對于0。及0。以下的器件而言最大的挑戰(zhàn)之一就是如何減少短溝道效應，解決這一挑戰(zhàn)的方法是使用超淺結工藝。

31.本發(fā)明對底電極的修飾采用溝道半導體材料本身，減小了電極與溝道材料之間的接觸電勢差。

32.溝道化是斷陷湖盆重力流沉積的一大特色，探討了其有別于經典海相重力流相模式的原因。

33.傳統晶體管使用一個叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在平面硅基片上的溝道中的流動。

34.高能粒子在碳納米管繩里的溝道效應，顯示大的溝道直徑和微弱的退溝道因子。

35.提出了近北遠南、截流溝道、河灘漫流、排口分級管理的新觀點。

36.當時，毛*席住在白育才家的五孔窯洞里，溝道對面是紅軍總部機關駐地，博古等人居住在此，相鄰的同一排窯洞設有警衛(wèi)排、伙房、機要室、電臺部等。

37.基本保留了鳳凰臺、回水溝與厚慈街的位置，對十八梯、守備街、花街子、回水溝道路做了進一步改善。

38.它還集成了兩個內部低飽和PNP晶體管，措置雙溝道充電性能。

39.用掠角溝道技術和透射電子顯微鏡分析了這種硅化物的結構。

40.溝道長度約共計超。

41.模擬結果顯示：越細長的溝道，器件的短溝效應越弱，器件的亞閾值斜率隨柵氧化層增厚而加大。

42.在應力作用下，MOS晶體管的源漏電流的大小會隨著溝道區(qū)所受應力大小而變化。

43.全區(qū)的護田林帶已達公里，許多侵蝕劇烈的溝道、河川被沙棘固定。

44.泥石流溝道侵蝕作為一種特殊的侵蝕類型，與一般水流相比，其侵蝕作用非常強烈，在一次過程中便可刷深溝床數米甚至數十米。

45.其課題在于，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產生短溝道效應。

46.藉由本發(fā)明可以在維持元件密度的情況下制作較寬的字線，避免短溝道效應，提升元件的效能。

47.為了減小小尺寸MOS器件的短溝道效應，采取了改進器件的結構、改變溝道摻雜以及減小柵氧化層厚度等措施。

48.黃土丘陵溝壑區(qū)治溝骨干工程泥沙淤積來源于坡面侵蝕、溝道侵蝕和庫區(qū)岸坡坍塌。

49.第五章設計了全P溝道TFT構成的屏上驅動電路，包括反相器、移位寄存器、傳輸門的設計，并用仿真軟件進行了仿真驗證。

50.m時，由于制造工藝的局限性以及溝道長度變短、結深變淺后，器件穿通風險加大。

51.這樣在源和漏之間就產生了一個導電的n型溝道。