1.霧度-晶圓片表面大量的缺陷，常常表現為晶圓片表面呈霧狀。

2.在半導體制程中，蝕刻被用來將某種材質自晶圓表面上移除。

3.早在半導體行業發展初期，伊智就開始著手從事該行業，并始終堅持用獨特的技術制造高可靠性的晶圓探針臺。

4.對于輕油裂解廠，他明確表示，“先國光、后大陸”，而面板及半導體的開放沒有時間表，晶圓廠的投資并不禁止，以掌握技術優先為最大原則。

5.英特爾位于奧勒岡州的研發晶圓廠代號為D，規劃在開始運作。

6.上圖顯示的即為一塊光掩膜，它上面印的圖案會被印到晶圓上。

7.這就是為什么高工資國家貶值的晶圓廠瀕臨極高危險的起因。

8.沾污顆粒-晶圓片表面上的顆粒。

9.ST也把一些存儲器代工廠轉移到合伙企業，顯然這是朝著“輕晶圓廠”模式成長的一個行動。

10.劃傷-晶圓片表面上的小皺造成的缺陷。

11.加工測試晶圓片-用于區域清潔過程中的晶圓片。

12.加熱板與矽晶圓降低至加熱位置。

13.表面紋理-晶圓片實際面與參考面的差異情況。

14.不過，據該負責人介紹，一部小米手機就用到了這樣的器件，而且一塊寸的晶圓上大約就有的數量。

15.實驗一裝置:加熱板與矽晶圓連接至感溫棒。

16.為了簡化運輸和盡可能降低被污染的風險，芯片制造商利用“前開式標準晶圓盒”即所謂的FOUP來搬運晶圓。

17.*彎以晶圓代工聞名于世，“晶圓王國”的稱號不脛而走。

18.必需-訂購晶圓片時客戶必須達到的最小規格。

19.最小條件或方向-確定晶圓片是否合格的允許條件。

20.擦傷-晶圓片表面的痕跡。

21.FOUP可以對接在大多數應用材料機器系統的前端，機器可以將晶圓一片片的吸進去，自動進行加工。

22.為了迎合當地消費者的口味，卡夫做出一項意義深遠的決定，適時推出奧利奧晶圓棒角、奧利奧晶圓卷、奧利奧軟蛋糕和奧利奧草莓霜餅干等多款新的奧利奧系列產品。

23.氯苯是種很合適的溶劑，但因為含有劇毒，晶圓廠嚴禁使用。

24.切割出的晶圓經過拋光，表面變得毫無瑕疵、如同鏡子。

25.沾污區域-部分晶圓片區域被顆粒沾污，造成不利特性影響。

26.芯片農夫不得不花數十億美元并等待數年直到能開始在晶圓片上雕刻電路。

27.本文將實際以臺中科學園區某新廠為例，該廠自規劃、破土到第一片晶圓產出，以破紀錄約十四個月的時間即達到試產完成目標。

28.結合目前國內半導體廠實時性差的特點，介紹了一晶圓制造過程實時系統工作流程。

29.例如，如果晶圓代工廠拿走了太大的一塊蛋糕，價值鏈上的其它業者如芯片設計者將會很難生存。

30.深坑-一種晶圓片表面無法消除的缺陷。

31.顆粒計算-用來測試晶圓片顆粒污染的測試工具。

32.采購產品晶圓，粉末飲料，巧克力，奶油，科隆，熱和冷的食物產品。

33.表面形貌劑-一種用來測量晶圓片表面形貌的工具。

34.波紋-晶圓片表面經常出現的缺陷。

35.而且，激發螢光光譜的峰值會隨著探測晶圓不同處而變化。

36.走下您在北京首都機場飛機，并在幾分鐘之內朗豪坊將于感到勞累的你完全晶圓廠。

37.總計指示劑數-晶圓片表面位面間的最短距離。

38.研究人員目前正在擴展他們的工作，將單層石墨烯遷移到硅晶圓片上。

39.“經濟部”月底即將召開跨部會議，討論松綁赴陸投資的清單項目，目前以晶圓、面板與輕油裂解等，最受外界矚目。

40.流行的用來移動微小電路到晶圓上的印刷工具價值萬美元。

41.通過在某半導體晶圓廠的實際應用，該產能規劃模型有效地解決了投料不均，設備負荷率波動過大等問題。

42.SOI晶圓材料正在成為制備IC芯片的重要原材料。

43.機械測試晶圓片-用于測試的晶圓片。

44.應用材料公司的無塵室有一條自動化懸掛單軌，可將前置式晶圓傳送盒從一處輸送至另一處。

45.半導體晶圓廠是一個非常復雜的制造環境，其中包含制程機臺，需執行幾百甚至有上千種不同制程步驟。

46.本文針對SPC做了簡要概述，著重論述了根據半導體生產工藝的特點來實現其在半導體晶圓廠的實際應用。

47.粗糙度-晶圓片表面間隙很小的紋理。

48.為了簡化運輸和盡可能降低被污染的風險，芯片制造商利用“前開式標準晶圓盒”即所謂的FOUP來搬運晶圓。每個無塵超凈的晶圓盒中可放置硅晶圓。

49.微坑-在擴散照明下可見的，晶圓片表面可區分的缺陷。

50.晶圓廠的所有權是關鍵。

51.層-晶圓片表面結構的主要方向。

52.四探針法用在非常薄的樣品，例如外延晶圓片和導電涂層上。

53.邏輯家：預晶圓廠院是經濟的方式前往！

54.值得一提的是，伊智公司是三者之中，惟一一家始終致力于晶圓探針技術研究的公司，并保持在該領域處于技術領先地位。

55.加熱板與矽晶圓在啟始狀態。

56.各零件和動作相互配合，能用內外圈將晶圓箍牢。

57.污跡-晶圓片上指紋造成的缺陷或污染。

58.因此晶圓代工廠的增加是信息時代的熔爐。

59.堆垛-晶圓片表面超過0。米的缺陷。

60.總結來說，本文證實乾膜光阻適用于晶圓級高頻覆晶封裝制程。