1.霧度-晶圓片表面大量的缺陷，常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀。
2.在半導(dǎo)體制程中，蝕刻被用來(lái)將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除。
3.早在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展初期，伊智就開(kāi)始著手從事該行業(yè)，并始終堅(jiān)持用獨(dú)特的技術(shù)制造高可靠性的晶圓探針臺(tái)。
4.對(duì)于輕油裂解廠(chǎng)，他明確表示，“先國(guó)光、后大陸”，而面板及半導(dǎo)體的開(kāi)放沒(méi)有時(shí)間表，晶圓廠(chǎng)的投資并不禁止，以掌握技術(shù)優(yōu)先為最大原則。
5.英特爾位于奧勒岡州的研發(fā)晶圓廠(chǎng)代號(hào)為D，規(guī)劃在開(kāi)始運(yùn)作。
6.上圖顯示的即為一塊光掩膜，它上面印的圖案會(huì)被印到晶圓上。
7.這就是為什么高工資國(guó)家貶值的晶圓廠(chǎng)瀕臨極高危險(xiǎn)的起因。
8.沾污顆粒-晶圓片表面上的顆粒。
9.ST也把一些存儲(chǔ)器代工廠(chǎng)轉(zhuǎn)移到合伙企業(yè)，顯然這是朝著“輕晶圓廠(chǎng)”模式成長(zhǎng)的一個(gè)行動(dòng)。
10.劃傷-晶圓片表面上的小皺造成的缺陷。
11.加工測(cè)試晶圓片-用于區(qū)域清潔過(guò)程中的晶圓片。
12.加熱板與矽晶圓降低至加熱位置。
13.表面紋理-晶圓片實(shí)際面與參考面的差異情況。
14.不過(guò)，據(jù)該負(fù)責(zé)人介紹，一部小米手機(jī)就用到了這樣的器件，而且一塊寸的晶圓上大約就有的數(shù)量。
15.實(shí)驗(yàn)一裝置:加熱板與矽晶圓連接至感溫棒。
16.為了簡(jiǎn)化運(yùn)輸和盡可能降低被污染的風(fēng)險(xiǎn)，芯片制造商利用“前開(kāi)式標(biāo)準(zhǔn)晶圓盒”即所謂的FOUP來(lái)搬運(yùn)晶圓。
17.*彎以晶圓代工聞名于世，“晶圓王國(guó)”的稱(chēng)號(hào)不脛而走。
18.必需-訂購(gòu)晶圓片時(shí)客戶(hù)必須達(dá)到的最小規(guī)格。
19.最小條件或方向-確定晶圓片是否合格的允許條件。
20.擦傷-晶圓片表面的痕跡。
21.FOUP可以對(duì)接在大多數(shù)應(yīng)用材料機(jī)器系統(tǒng)的前端，機(jī)器可以將晶圓一片片的吸進(jìn)去，自動(dòng)進(jìn)行加工。
22.為了迎合當(dāng)?shù)叵M(fèi)者的口味，卡夫做出一項(xiàng)意義深遠(yuǎn)的決定，適時(shí)推出奧利奧晶圓棒角、奧利奧晶圓卷、奧利奧軟蛋糕和奧利奧草莓霜餅干等多款新的奧利奧系列產(chǎn)品。
23.氯苯是種很合適的溶劑，但因?yàn)楹袆《荆?B>晶圓廠(chǎng)嚴(yán)禁使用。
24.切割出的晶圓經(jīng)過(guò)拋光，表面變得毫無(wú)瑕疵、如同鏡子。
25.沾污區(qū)域-部分晶圓片區(qū)域被顆粒沾污，造成不利特性影響。
26.芯片農(nóng)夫不得不花數(shù)十億美元并等待數(shù)年直到能開(kāi)始在晶圓片上雕刻電路。
27.本文將實(shí)際以臺(tái)中科學(xué)園區(qū)某新廠(chǎng)為例，該廠(chǎng)自規(guī)劃、破土到第一片晶圓產(chǎn)出，以破紀(jì)錄約十四個(gè)月的時(shí)間即達(dá)到試產(chǎn)完成目標(biāo)。
28.結(jié)合目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠(chǎng)實(shí)時(shí)性差的特點(diǎn)，介紹了一晶圓制造過(guò)程實(shí)時(shí)系統(tǒng)工作流程。
29.例如，如果晶圓代工廠(chǎng)拿走了太大的一塊蛋糕，價(jià)值鏈上的其它業(yè)者如芯片設(shè)計(jì)者將會(huì)很難生存。
30.深坑-一種晶圓片表面無(wú)法消除的缺陷。
31.顆粒計(jì)算-用來(lái)測(cè)試晶圓片顆粒污染的測(cè)試工具。
32.采購(gòu)產(chǎn)品晶圓，粉末飲料，巧克力，奶油，科隆，熱和冷的食物產(chǎn)品。
33.表面形貌劑-一種用來(lái)測(cè)量晶圓片表面形貌的工具。
34.波紋-晶圓片表面經(jīng)常出現(xiàn)的缺陷。
35.而且，激發(fā)螢光光譜的峰值會(huì)隨著探測(cè)晶圓不同處而變化。
36.走下您在北京首都機(jī)場(chǎng)飛機(jī)，并在幾分鐘之內(nèi)朗豪坊將于感到勞累的你完全晶圓廠(chǎng)。
37.總計(jì)指示劑數(shù)-晶圓片表面位面間的最短距離。
38.研究人員目前正在擴(kuò)展他們的工作，將單層石墨烯遷移到硅晶圓片上。
39.“經(jīng)濟(jì)部”月底即將召開(kāi)跨部會(huì)議，討論松綁赴陸投資的清單項(xiàng)目，目前以晶圓、面板與輕油裂解等，最受外界矚目。
40.流行的用來(lái)移動(dòng)微小電路到晶圓上的印刷工具價(jià)值萬(wàn)美元。
41.通過(guò)在某半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)的實(shí)際應(yīng)用，該產(chǎn)能規(guī)劃模型有效地解決了投料不均，設(shè)備負(fù)荷率波動(dòng)過(guò)大等問(wèn)題。
42.SOI晶圓材料正在成為制備IC芯片的重要原材料。
43.機(jī)械測(cè)試晶圓片-用于測(cè)試的晶圓片。
44.應(yīng)用材料公司的無(wú)塵室有一條自動(dòng)化懸掛單軌，可將前置式晶圓傳送盒從一處輸送至另一處。
45.半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)是一個(gè)非常復(fù)雜的制造環(huán)境，其中包含制程機(jī)臺(tái)，需執(zhí)行幾百甚至有上千種不同制程步驟。
46.本文針對(duì)SPC做了簡(jiǎn)要概述，著重論述了根據(jù)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的特點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)其在半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)的實(shí)際應(yīng)用。
47.粗糙度-晶圓片表面間隙很小的紋理。
48.為了簡(jiǎn)化運(yùn)輸和盡可能降低被污染的風(fēng)險(xiǎn)，芯片制造商利用“前開(kāi)式標(biāo)準(zhǔn)晶圓盒”即所謂的FOUP來(lái)搬運(yùn)晶圓。每個(gè)無(wú)塵超凈的晶圓盒中可放置硅晶圓。
49.微坑-在擴(kuò)散照明下可見(jiàn)的，晶圓片表面可區(qū)分的缺陷。
50.晶圓廠(chǎng)的所有權(quán)是關(guān)鍵。
51.層-晶圓片表面結(jié)構(gòu)的主要方向。
52.四探針?lè)ㄓ迷诜浅１〉臉悠罚缤庋?B>晶圓片和導(dǎo)電涂層上。
53.邏輯家：預(yù)晶圓廠(chǎng)院是經(jīng)濟(jì)的方式前往！
54.值得一提的是，伊智公司是三者之中，惟一一家始終致力于晶圓探針技術(shù)研究的公司，并保持在該領(lǐng)域處于技術(shù)領(lǐng)先地位。
55.加熱板與矽晶圓在啟始狀態(tài)。
56.各零件和動(dòng)作相互配合，能用內(nèi)外圈將晶圓箍牢。
57.污跡-晶圓片上指紋造成的缺陷或污染。
58.因此晶圓代工廠(chǎng)的增加是信息時(shí)代的熔爐。
59.堆垛-晶圓片表面超過(guò)0。米的缺陷。
60.總結(jié)來(lái)說(shuō)，本文證實(shí)乾膜光阻適用于晶圓級(jí)高頻覆晶封裝制程。
