1.介紹了以K璃為基體材料MOEMS器件的濕法刻蝕工藝。
2.本發(fā)明公開了一種刻蝕停止層，包括在襯底上形成的含氮的碳化硅層，以及位于所述碳化硅層之上的氮化硅層。
3.本文中的微執(zhí)行器采用深層反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在硅隔離襯底硅片上制作。
4.介紹了在金屬微細(xì)圖形化制作中常用的兩種方法:刻蝕和剝離，并比較了兩者的優(yōu)劣。
5.蒸發(fā)層和濺射層的選擇刻蝕是保證成品的關(guān)鍵步驟。
6.衍射光學(xué)元件在制作過程中，存在掩模對準(zhǔn)、線寬和刻蝕深度等制作誤差。
7.研究了基于絕緣材料上的硅材料的平面波導(dǎo)刻蝕光柵分波器的主要制作工藝。
8.采用簡單化學(xué)刻蝕的方法制備出多晶鋁合金基體上的超疏水表面。
9.并且詳細(xì)論述離子刻蝕的原理以及離子源的參數(shù)設(shè)計(jì)。
10.最后利用三維表面形貌儀，分別對濕法刻蝕和干法刻蝕的磁頭結(jié)構(gòu)進(jìn)行了數(shù)據(jù)分析。
11.對硅的干法刻蝕技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中非常重要的一項(xiàng)工藝。
12.目前，刻蝕技術(shù)已經(jīng)成為集成電路生產(chǎn)中的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，干法刻蝕設(shè)備亦成為關(guān)鍵設(shè)備。
13.刻蝕工藝的分辨率是圖形轉(zhuǎn)移保真度的量度。
14.我們采用旋涂、鋁掩膜和氧反應(yīng)離子刻蝕的方法制得了聚合物陣列式光波導(dǎo)器件。
15.當(dāng)能刻蝕的材料不存在時(shí)，這些物種就具有較長的壽命。
16.通過深紫外光刻和感應(yīng)耦合等離子刻蝕設(shè)備，制備了所設(shè)計(jì)的器件。
17.對這種結(jié)構(gòu)的形變特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測試，考慮到測量誤差與濕法刻蝕造成膜表面的不平整因素，測實(shí)結(jié)果與模擬結(jié)果較為相符。
18.劑中的材料都具有一定的刻蝕速率。
19.誰能推薦一下合適的刻蝕方法嗎？
20.列舉一些對本技術(shù)發(fā)展帶有突破性意義的里程碑，并敘述干法刻蝕技術(shù)在微電子學(xué)和光電子學(xué)等重要應(yīng)用領(lǐng)域的作用。
21.在器件中引入增益耦合機(jī)制以提高單模成品率，并采用感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕技術(shù)以降低調(diào)制器電容。
22.用電子束刻蝕法在晶片上鍍上納米級鋁層形成了電感器。
23.通過納米制備技術(shù)研究者在氮化硅中刻蝕出許多空洞以構(gòu)成所需圖案，使得波導(dǎo)具有合適的隱形折射率。
24.衍射光學(xué)元件的制作技術(shù)主要包括激光或電子束直寫、反應(yīng)離子刻蝕、離子束銑及薄膜沉積。
25.該裝置具有結(jié)構(gòu)簡單，低損傷和各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)。
26.介紹了一種無刻蝕直流鍍鐵工藝。
27.傳統(tǒng)的干法刻蝕不適合用于注入層，因?yàn)樗墓に噺?fù)雜而且在刻蝕過程中可能導(dǎo)致基片損壞。
28.給出了加速度計(jì)的制作工藝流程，研究了解決深反應(yīng)離子刻蝕過程中的過刻蝕現(xiàn)象的方法。
29.運(yùn)用相位掩模法刻蝕光纖光柵，該方法對光源的時(shí)間相干性和單色性要求較低，工藝簡單，成品率高。
30.介紹了一種無刻蝕直流鍍鐵工藝。造句網(wǎng)
31.世界各地海洋刻蝕現(xiàn)象主要是由海浪作用而形成的。
32.曲軸修理過程中進(jìn)行曲軸剩余強(qiáng)度校核十分重要，結(jié)合董氏無刻蝕鍍鐵工藝修復(fù)十分可靠。文中以某輪曲軸修復(fù)為例，介紹了鍍鐵修復(fù)工藝及曲軸強(qiáng)度校核計(jì)算。
33.低氣壓、高密度等離子體刻蝕的模擬對于高密度等離子體刻蝕的工藝研究具有重要意義。
34.蘸水筆技術(shù)是近年來發(fā)展起來的一種新的掃描探針刻蝕加工技術(shù)，有著廣泛的應(yīng)用前景。
35.硅片的一部分經(jīng)掩膜后進(jìn)行SF法刻蝕，從而使集流器能夠連接到外電路上。
36.田納西河刻蝕著坎伯蘭高原的東部邊緣。
37.與傳統(tǒng)濕法腐蝕比較，干法刻蝕具有各向異性、對不同材料選擇比差別較大、均勻性與重復(fù)性好、易于實(shí)現(xiàn)自動連續(xù)生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
38.本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述干刻清洗工藝開發(fā)和評價(jià)過程。
39.首先通過組合刻蝕工藝制作硅模具，再利用硅模具復(fù)制得到微諧振腔。
40.提出了采用耐酸油墨絲網(wǎng)印刷所需圖案、混合酸刻蝕制備裝飾性鋁板的新方法。
41.他在表面上刻蝕出她的形象。
42.采用反應(yīng)離子刻蝕，各向異性化學(xué)腐蝕及自限制熱氧化過程在SOI襯底上制備出高質(zhì)量的超精細(xì)硅量子線。
43.本發(fā)明過孔的制備過程工藝簡單，操作性比通過刻蝕的方法方便，降低了工藝成本。
44.你有信仰就年輕，疑惑就年老。有自信就年輕，畏懼就年老。有希望就年輕，絕望就年老。歲月刻蝕的不過是你的皮膚，但如果失去了熱忱，你的靈魂就不再年輕。
45.通常，所有暴露在刻蝕劑中的材料都具有一定的刻蝕速率。
46.研究常壓等離子射流處理對羊毛織物正反面染色性的影響，從而探索常壓等離子射流刻蝕在織物中的滲透性。
47.等離子體低溫刻蝕是一種針對高深寬比結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)。
48.刻蝕超越此值的后果應(yīng)該是清楚的。
49.由此解釋了無刻蝕鍍鐵層具有高結(jié)合強(qiáng)度的原因。
50.通過對光刻工藝過程的研究，可為較好地控制正性光刻膠面形，制作微機(jī)械、微光學(xué)器件提供了參考依據(jù)，對微浮雕結(jié)構(gòu)的深刻蝕具有重要的指導(dǎo)意義。
51.因此，等離子體刻蝕的各向異性可以通過增加射頻頻率和射頻功率來改善。
52.通過優(yōu)化刻蝕參數(shù)，獲得了側(cè)壁粗糙度和傳輸損耗相對較低的SOI脊形波導(dǎo)。
53.應(yīng)用感應(yīng)耦合等離子體技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了對銻化銦薄膜的干法刻蝕。
54.微型加工的靜態(tài)混合器只有m，由硅片刻蝕而來，可用于小型化學(xué)傳感器。
55.該器件采用一次深刻蝕與一次淺刻蝕，從而屏蔽掉“靜態(tài)鏡面”的影響。
56.介紹了利用軟刻蝕紫外模塑技術(shù)制作復(fù)制聚合物折射和衍射微透鏡陣列的工藝過程。
57.本項(xiàng)研究是在分析比較現(xiàn)有各種鍍鐵工藝的基礎(chǔ)上，采用了一種新的無刻蝕鍍鐵及其復(fù)合鍍工藝。
